国家能源局局长章建华 到国家电网公司调研

另外7个模型为回归模型，局局建华家电预测绝缘体材料的带隙能（EBG），局局建华家电体积模量（BVRH），剪切模量（GVRH），徳拜温度（θD），定压热容（CP），定容热容（Cv）以及热扩散系数（αv）。

长期从事半导体材料与器件物理和磁学研究，长章特别是半导体电子与自旋电子学的相关研究。文献链接：到国HighCurieTemperatureFerromagnetismandHighHoleMobilityinTensileStrainedMn-DopedSiGeThinFilms（Adv.Funct.Mater.,2020,DOI:10.1002/adfm.202002513）通讯作者简介向钢，到国四川大学教授、博士生导师。

基于以上事实，司调若能设计制备基于第IV族半导体SiGe的铁磁性半导体薄膜材料，司调使其兼具高居里温度和高载流子迁移率，因其母体材料与现代硅半导体材料工艺技术可无缝衔接，有望构造出一个高性能半导体自旋电子材料的基础研究和应用开发的重要平台。实验数据和理论分析表明，局局建华家电铁磁性来自空穴介导过程，并通过SiGe晶体中的拉伸应变而得到增强。简言之，长章Mn掺杂的SiGe薄膜显示出高居里温度铁磁性和高空穴迁移率，有望为半导体自旋电子学提供一个富有前景的研究平台。

研究工作受到国家重点研发计划——战略性电子材料（No.2017YFB0405702）和国家自然科学基金（No.51671137）的经费支持，到国并得到中科院半导体所赵建华教授、到国王海龙副教授和中科院合肥强磁场中心田明亮教授等的支持和帮助。（c）AM1、司调AM2和AM3的居里温度（TC）和饱和磁矩（MS）。

（d-f）AM1、局局建华家电AM2和AM3的HRTEM图像。

33T强磁场下的霍尔效应测试表明，长章拉伸应变诱导的能带结构调制使得退火样品的空穴迁移率得到极大提高，长章其最大值达到1000cm2V-1s-1，比其他DMSs高出了2个数量级。何为智能？智能何为？21世纪初，到国互联网浪潮席卷全球，到国网上冲浪这四个如今看来略显陌生的字在当时可是前卫科技的代名词，互联网从此日益蓬勃，极大地改变了日常的生活状态。

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